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BSC084P03NS3GATMA1  与  BSC084P03NS3E G  区别

型号 BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3E G
唯样编号 A-BSC084P03NS3GATMA1 A-BSC084P03NS3E G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.4mΩ
上升时间 - 133.5nS
Qg-栅极电荷 - 43.4nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4785pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 25V
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 78.6A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8.4 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±25V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
下降时间 - 8.1nS
高度 - 1.27mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 69W
典型关闭延迟时间 - 33.3nS
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.1V @ 105uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOSP3
25°C时电流-连续漏极(Id) 14.9A(Ta),78.6A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC084P03NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3 G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BSC084P03NS3E G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3EGATMA1_30V 78.6A 8.4mΩ 25V 69W P-Channel -55°C~150°C

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